Der Transistor ist das wichtigste Bauteil in unseren Smartphones, PCs und vielen anderen elektrischen Geräten. Dieses technische Meisterwerk wurde mittlerweile auf die Größe von nur drei Atomen verkleinert. Damit ist der Grundstein für extrem dünne und auch kleine Geräte gelegt.
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Als vor knapp 60 Jahren der erste Transistor gebaut wurde konnte noch niemand erahnen, dass dieses Bauteil die Menschheit und vor allem unser Leben für immer verändern wird. Während die ersten Transistoren noch vergleichsweise riesengroß waren, sind die heutigen teilweise mit dem bloßen Auge gar nicht mehr sichtbar. In den Mikroprozessoren befinden sich teilweise Milliarden von Transistoren und sind entsprechend in der Größe geschrumpft.
Jetzt gibt es einen neuen Durchbruch in Sachen Fertigungsgröße von Transistoren. Forscher der Cornell University haben es geschafft einen Transistor auf die Größe von nur drei Atomen zu schrumpfen und dabei auch gleich ein Herstellungsverfahren gefunden, welches bereits jetzt eine Erfolgsrate von 99 Prozent aufweisen kann. Normalerweise sind solche Projekte immer sehr vielversprechend, können aber dann in der Realität nicht umgesetzt werden, da die Herstellung einfach nicht klappt.
Im Falle von diesem Experimentalem Material mit dem Namen „transition metal dichalcogenide“ (TMD) werden die Transistoren mit Hilfe einer Mixtur aus Diethylsufilden und einem Metal Hexacarbonyl Bestandteil auf einem Silicon Wafer in einem Hydrogengas für 26 Stunden gebacken. Diese neue Methode zur Synthetisierung ist besonders vielversprechend und könnte tatsächlich der Grundstein für extrem dünne Geräte sein.
Natürlich ist die Technik noch ein paar Jahre von der Kommerzialisierung entfernt, allerdings haben wir damit schon einmal ein vielversprechendes Konzept in Aussicht, dass uns voller Hoffnung in Richtung der hauchdünnen Geräte blicken lässt.
